杰盛微半导体推出的JSM21276STR，是针对 IR21276STR 打造的完美替代方案 —— 不仅在封装、参数上全面兼容，更在抗干扰能力、保护机制等核心性能上实现升级，为工程师提供更具性价比的选择。

一、概览
JSM21276S是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。JSM21276S采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
JSM21276S其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。JSM21276S采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+300V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns
Vs 负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压
-从8V到 22V
栅极驱动拉/灌 电流4AV4A
集成欠压锁定电路
- 欠压阈值 6.8V17.2V
芯片传输延时特性
-开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns
宽温度范围-40°C~125°C
Fautt 引脚故障输出
符合 RoSH 标准
SOP-8 (S)

三、应用范围
电机控制和驱动
机器人技术
水上摩托
电动摩托车
电动汽车快速充电

四、技术参数详解：硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围：
为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图

选择 JSM21276STR，不仅是选择一款高性价比的驱动芯片，更是选择一条 “自主可控” 的供应链。如需了解更多参数细节或申请样品，可访问杰盛微官网（www.jsmsemi.com），或关注 “杰盛微半导体” 公众号获取最新技术文档。
国产替代，不止于 “兼容”，更在于 “超越”—— 杰盛微JSM21276STR，为您的产品升级提供可靠之选。

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