在电力电子领域，功率驱动芯片犹如 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关效率、系统稳定性与安全可靠性。随着电机控制、智能家电、逆变器等领域对高性能驱动芯片的需求激增，一款能兼容经典型号、且在性能上实现突破的驱动芯片，成为工程师们的迫切需求。

杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半导体领域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，不仅完美替代 TF2003M、IRS2003 等经典型号，更在可靠性、效率与适配性上实现全面升级，为工业与消费电子领域提供了更优解。

一、概览

JSM2003是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。JSM2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。
JSM2003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。JSM2003采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达+50 V/ns
Vs 负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从 10V到 20V
集成欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值 8.9V
--欠压锁定负向闽值 8.2V
防直通死区逻辑
--死区时间设定 520ns
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时 Ton/Toff=160ns/150ns
--延迟匹配时间 30ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力 290mAV600mA
符合 RoSH 标准

SOP-8

三、应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

四、技术参数详解：硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围：
为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS 为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图

杰盛微深耕半导体领域十余年，始终以 “国产替代，性能更优” 为目标。从芯片设计到封装测试，全流程自主可控，确保每一颗 JSM5109G 都符合车规级质量标准。

如需获取JSM2003STRdatasheet、样品或代理合作咨询，欢迎联系：
📞 服务热线：13824341110
📧 邮箱：janice@jsmsemi.com
杰盛微半导体提供完善的技术支持，帮助客户快速导入设计：
📌 免费申请样品（新客户专享）
📌 提供参考设计及开发工具
📌 资深FAE团队一对一支持
关注我们，获取更多资源
🔹 回复 “ JSM2003STR ” 获取 规格书 & 设计指南
🔹 回复 “电源方案” 获取 典型应用案例集
杰盛微半导体——专注高性能电源管理芯片，助力您的产品更高效、更可靠！