在电子设备设计中，电源管理芯片的性能直接影响产品的续航、稳定性和成本。无论是智能穿戴设备、工业传感器，还是物联网终端，高效的电源管理都是确保产品竞争力的关键因素。

杰盛微半导体推出的JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，

输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。

JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。JSM2113S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

JSM2113S的核心优势
自举工作的浮动通道
最高工作电压可达 700V
兼容 3.3V、5V 和 15V输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达±50 V/nsec
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电范围 10 V-20V
宽温度范围-40~125°C
集成欠压锁定功能
周期性边缘触发关断逻辑
输入输出同相位
逻辑和电源地±5V 偏移
芯片开通关断延时特性
--Ton/Toff =130ns/130ns
-高低侧延时匹配
驱动电流能力:
--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
高、低侧欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值 8.9V
--欠压锁定负向阈值 8.2V
符合 RoSH 标准
SOP-16 (W)

典型应用场景
✅ 太阳能逆变器
✅ 交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
✅ 用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源
✅太阳能逆变器、电机驱动器和 UPS

杰盛微半导体JSM2113S：专业级IGBT驱动芯片，性能比肩国际大厂

市场主流IGBT驱动芯片对比

客户实际应用案例
案例1：逆变电源
某知名品牌采用JSM2113S后：
待机时间从 5天提升至7天
整体BOM成本降低 12%
产品通过FCC/CE认证

案例2：工业传感器方案替换
某工业客户替换进口芯片后：
系统功耗降低 20%
高温环境下稳定性显著提升
年采购成本节省 150万元

如何获取JSM2113S？
杰盛微半导体提供完善的技术支持，帮助客户快速导入设计：
📌 免费申请样品（新客户专享）
📌 提供参考设计及开发工具
📌 资深FAE团队一对一支持
📞 服务热线：13824341110
📧 邮箱：janice@jsmsemi.com
杰盛微半导体——专注高性能电源管理芯片，助力您的产品更高效、更可靠！