在工业电子、新能源、汽车电子等领域,高侧栅极驱动芯片是电力电子系统的 “神经中枢”,负责精准控制功率 MOSFET/IGBT 的开关状态,其性能直接影响整个系统的效率、可靠性与安全性。长期以来,IR21281 作为经典的单通道高侧驱动芯片,在市场中占据重要地位。但随着国产半导体技术的崛起,杰盛微半导体推出的 JSM21281STR 以 “300V 集成自举 + 过流检测” 的硬核配置,成为 IR21281 的理想替代方案。今天,我们就来深入解析这款国产芯片的优势,看看它凭什么能成为工程师的新选择。
一、概览
JSM21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。JSM21281采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
JSM21281其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300 V。JSM21281采用 SOP-8 封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
集成自举二极管
最高工作电压为+300V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
dVs/dt 耐受能力可达+50 V/ns
Vs 负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压
--从8V到 22V
集成欠压锁定电路
--欠压闽值 6.8V17.2V
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时 Ton/Toff=150ns/150ns
宽温度范围-40°C~125°C
Fautt 引脚故障输出
符合 RoSH 标准
SOP-8 (S)
三、应用范围
DC-DC转换器
开关电源
太阳能逆变器
不间断电源(UPS)
电机控制和驱动机器人技术
电动汽车快速充电
四、技术参数详解:硬核实力看得见
1. 极限工作范围
超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的,环境温度为 25℃。
2. 推荐工作范围:
为了正确地操作,器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的,无特殊说明的情况下,所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的,环境温度为25℃
五、引脚功能描述
六、功能框图
国产芯片的 “突围”,不止于 “替代”
杰盛微 JSM21281STR 的出现,不仅为 IR21281 提供了可靠的替代选择,更展现了国产半导体在功率器件领域的技术突破 —— 从 “跟跑” 到 “并跑”,再到在集成度、可靠性等细节上 “领跑”。
对于企业而言,选择 JSM21281STR 不仅能规避供应链风险、降低成本,更能获得本土化的技术支持:杰盛微提供从样品测试到量产调试的全流程服务,响应速度远快于海外品牌。
如果你的项目正在使用 IR21281,或需要一款高性能的高侧栅极驱动芯片,不妨试试杰盛微 JSM21281STR—— 让国产芯片的实力,为你的产品赋能。
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