FD2203S是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。FD2203S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。FD2203S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。FD2203S采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

FD2203S性能参数介绍：
•自举工作的浮地通道
•最高工作电压为+250V
•兼容3.3V,5V和15V输入逻辑 
•dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
•Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
•防直通死区逻辑
--死区时间设定250ns
•芯片传输延时特性
-开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/150ns
--延迟匹配时间 50ns
•宽温度范围-40C~125C
•输出级拉电流/灌电流能力4A/4A
•符合RoSH标准 SOP-8

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