JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。

应用范围：
通用逆变器
交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度

JSM2113S性能参数介绍：
•自举工作的浮动通道
•最高工作电压可达700V
•兼容 3.3V、5V和15V输入逻辑
•dVs/dt耐受能力可达±50V/nsec
•Vs负偏压能力达-9V
•栅极驱动电范围10V-20V
•宽温度范围-40~125°C
•集成欠压锁定功能
•周期性边缘触发关断逻辑
•输入输出同相位
•逻辑和电源地±5V偏移
•芯片开通关断延时特性
--Ton/Toff =130ns/130ns
-高低侧延时匹配
•驱动电流能力:
--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
•高、低侧欠压锁定电路
-欠压锁定正向阈值8.9V
-欠压锁定负向阈值8.2V
•符合 RoSH 标准
SOP-16(W)

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