JSM4428STR 双通道 2A 超高速功率开关驱动器完美兼容TC4428/IX4428/IR4428 /IRS4428
发布日期：2025-06-23 10:00:00
JSM4428STR在功率电子领域，高效驱动芯片一直是工程师们关注的焦点。今天为大家介绍一款性能卓越的JSM4428STR 双通道 2A 超高速功率开关驱动器，不仅能满足高频大功率场景的严苛需求，还能完美替代 IRS4428/TC4428/IX4428/IR4428 等主流型号，一起来看看它的硬核实力！
一、产品介绍
JSM4428S是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅 极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间 。
JSM4428S芯片在其额定功率和电压范围内的任何条 件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现 高达5V的噪声尖峰(任一极性)时,JSM4428S芯片 不会受到损坏。
JSM4428S芯片可以接受高达500mA 的反向电流强制返回其输出,而不会造成损坏或逻辑 混乱。所有端子均受到高达2.0KV静电放电(ESD)的全 面保护。
JSM4428S采用SOP-8封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
二、产品特性
锁存保护:可承受 0.5A反向电流
低至-10V的输入逻辑保护
输出阻抗低
单芯片集成两路驱动
输出峰值电流:2A
工作范围:4.5V~20V
最大输入负压可达-5V
高电容负载驱动能力:
-在 1nF 负载时，开关时间<25ns
上升/下降时间匹配
传播延时:40ns
宽温度范围:-40℃~125℃
芯片开通/关断延时特性
-Ton/Toff =70ns/70ns符合 RoSH 标准
SOP-8
三、应用范围
交换式电源、开关变换器
线路驱动器
脉冲变压器驱动
驱动 MOSFETS 和 IGBTS
电机控制
脉冲发生器
电源开关
DC-DC 转换器
在高频大功率的应用环境中,保证芯片的稳定运行显得尤为重要。因此在JSM4428S应用时提出以下建议:
1) JSM4428S在开关过程中,会输出峰值为2A的开关电流,并且随着频率的增加,对VCC的稳定性要求更为苛刻 。因此在设计时,可以选用一个较大容值的电解电容用于稳定VCC电压,并且为了应对高频特性,可以再选 用一个低ESR/ESL的电容(陶瓷电容或者贴片电容)并联使用。在物理层面上,电容应该尽可能地靠近VCC与 GND两端。
🔍 关于 杰盛微半导体
专注功率半导体解决方案15年，产品线覆盖驱动芯片、MOSFET、IGBT 等，为新能源、工业自动化、消费电子等领域提供高性价比替代方案。
主控 IC 的 PWM 信号经 JSM4428STR 放大后，能有效驱动功率 MOSFET，确保其工作在稳定状态，尤其适合高频开关电源设计。
如需获取JSM4428STR datasheet、样品或代理合作咨询，欢迎联系：
📞 服务热线：13824341110
📧 邮箱：janice@jsmsemi.com
杰盛微半导体提供完善的技术支持，帮助客户快速导入设计：
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JSM4428S是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅 极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间 。
JSM4428S芯片在其额定功率和电压范围内的任何条 件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现 高达5V的噪声尖峰(任一极性)时,JSM4428S芯片 不会受到损坏。
JSM4428S芯片可以接受高达500mA 的反向电流强制返回其输出,而不会造成损坏或逻辑 混乱。所有端子均受到高达2.0KV静电放电(ESD)的全 面保护。
JSM4428S采用SOP-8封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。
二、产品特性
锁存保护:可承受 0.5A反向电流
低至-10V的输入逻辑保护
输出阻抗低
单芯片集成两路驱动
输出峰值电流:2A
工作范围:4.5V~20V
最大输入负压可达-5V
高电容负载驱动能力:
-在 1nF 负载时，开关时间<25ns
上升/下降时间匹配
传播延时:40ns
宽温度范围:-40℃~125℃
芯片开通/关断延时特性
-Ton/Toff =70ns/70ns符合 RoSH 标准
SOP-8
交换式电源、开关变换器
线路驱动器
脉冲变压器驱动
驱动 MOSFETS 和 IGBTS
电机控制
脉冲发生器
电源开关
DC-DC 转换器
D 类开关放大器
在高频大功率的应用环境中,保证芯片的稳定运行显得尤为重要。因此在JSM4428S应用时提出以下建议:
1) JSM4428S在开关过程中,会输出峰值为2A的开关电流,并且随着频率的增加,对VCC的稳定性要求更为苛刻 。因此在设计时,可以选用一个较大容值的电解电容用于稳定VCC电压,并且为了应对高频特性,可以再选 用一个低ESR/ESL的电容(陶瓷电容或者贴片电容)并联使用。在物理层面上,电容应该尽可能地靠近VCC与 GND两端。
2)输出端口也是组成电源回路的一部分,为了保证输出波形的平整性,输出端口在设计时应该与 功率端MOSFET的栅极尽可能地靠近。另外,可以在OUT外设计额外的电阻,可以使工作波形更加平稳。
六、功能框图
专注功率半导体解决方案15年，产品线覆盖驱动芯片、MOSFET、IGBT 等，为新能源、工业自动化、消费电子等领域提供高性价比替代方案。
主控 IC 的 PWM 信号经 JSM4428STR 放大后，能有效驱动功率 MOSFET，确保其工作在稳定状态，尤其适合高频开关电源设计。
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