JSM200N04PG N 沟道增强型功率 MOSFET
发布日期:2025-10-15 18:30:00
在工业电源、不间断电源(UPS)、功率开关电路等场景中,N 沟道功率 MOSFET是核心器件之一 —— 它的导通损耗、电流承载能力、散热效率,直接决定了整个系统的能效与可靠性。长期以来,IRF1404 作为 40V 电压等级的经典型号,被广泛应用,但随着行业对大电流、低损耗、高稳定性的需求升级,其性能短板逐渐显现。

今天,杰盛微半导体(JSMSEMI)带来一款重磅产品 ——JSM200N04PG,不仅完美兼容 IRF1404 的 TO-247/TO-3P 封装,更在电流、导通电阻、ESD 防护等核心指标上实现突破,成为高性价比替代的优选方案。


一、产品基础描述
      JSM200N04PG 是杰盛微半导体(JSMSEMI)研发的N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进沟槽技术与设计,核心目标是实现低导通电阻(R_DS (ON)) 与低栅极电荷,同时具备高可靠性与多场景适配性,适用于对电流、效率、散热有较高要求的功率电子应用。

二、核心功能与特性
关键电参数:V_DS=40V、I_D=200A(连续漏极电流,T_C=25℃);
导通性能:R_DS (ON)<4mΩ(V_GS=10V、I_D=40A 时,典型值 3.3mΩ),依托高密度单元设计实现;
可靠性特性:特殊工艺保障高 ESD 能力,全表征雪崩电压与电流,具备高稳定性与均匀性;
散热特性:采用优秀封装设计,确保良好散热效率,降低温升风险。

三、绝对最大额定值(T_C=25℃,除非特别说明)
该参数界定器件的安全工作上限,超出可能导致永久损坏,具体如下表:


四、先认识下 “实力选手”:杰盛微 JSM200N04PG 的核心基因
作为专注功率半导体研发的本土企业,杰盛微始终以 “先进技术 + 可靠性能” 为核心,JSM200N04PG 便是其沟槽技术平台的代表性产品。这款N 沟道增强型功率 MOSFET,从设计之初就瞄准高电流、低损耗场景,核心参数堪称 “亮眼”:
电压与电流双突破:


漏源电压 V_DS=40V,与 IRF1404 一致,满足绝大多数中低压应用;但连续漏极电流 I_D 达到 200A(T_C=25℃),即便在 100℃高温下仍能保持 140A 的额定电流 —— 对比 IRF1404 的 162A(常温)、107A(100℃),JSM200N04PG 的电流承载能力提升近 23%,轻松应对大电流工况。
导通损耗 “一降再降”:

依托高密度单元设计与先进沟槽工艺,JSM200N04PG 的导通电阻 R_DS (ON) 表现惊艳 —— 在 V_GS=10V、I_D=40A 条件下,典型值仅 3.3mΩ,最大值不超过 4mΩ。而 IRF1404 的 R_DS (ON) 典型值约 5.5mΩ,这意味着:相同电流下,JSM200N04PG 的导通损耗可降低 40% 以上,直接提升系统能效,减少散热压力。
可靠性拉满:ESD + 雪崩 + 散热三重防护:特殊工艺赋予产品高 ESD 能力,避免静电击穿风险;全表征的雪崩电压与电流(单脉冲雪崩能量 E_AS=1500mJ,T_J=25℃),让器件在突发过压场景下更耐用;搭配优秀散热封装,TO-247/TO-3P 的结构设计确保热量快速传导,最大功耗 P_0 达 260W,远超 IRF1404 的 150W,高温环境下性能更稳定。

五、这些场景,JSM200N04PG 比 IRF1404 更 “能打”
凭借上述优势,JSM200N04PG 不仅是 IRF1404 的替代者,更能胜任更多高要求场景,成为系统性能升级的 “加速器”:
1. 不间断电源(UPS):大电流 + 低损耗双保障
UPS 在市电中断时需快速切换至电池供电,对 MOSFET 的电流承载能力和效率要求极高。JSM200N04PG 的 200A 额定电流,能轻松应对 UPS 的瞬时大电流冲击;3.3mΩ 的低导通电阻,可减少持续供电时的损耗,延长电池续航时间 —— 尤其在数据中心、医疗设备等对供电可靠性要求严苛的场景,优势更明显。
2. 工业功率开关:高温下的稳定担当
工业环境温度波动大,部分场景甚至超过 80℃。JSM200N04PG 在 100℃时仍能保持 140A 的额定电流,260W 的最大功耗搭配优秀散热封装,确保在高温下不会因过热降额;高 ESD 能力也能适应工业现场的复杂电磁环境,避免静电干扰导致的故障。
3. 高频开关电源:效率提升的关键
在 AC-DC、DC-DC 高频开关电源中,JSM200N04PG 的短开关延迟、低栅极电荷特性,能显著降低开关损耗;3.3mΩ 的低导通电阻,进一步减少导通损耗 —— 两者结合,可让电源的整体效率提升 3%-5%,这对追求能效等级的家电、新能源设备来说,是极具吸引力的升级。

六、选择杰盛微:不止是一款芯片,更是本土技术支撑
除了产品本身的优势,选择 JSM200N04PG,还能享受杰盛微作为本土企业的 “附加价值”:
供货稳定:自主研发生产,不受海外供应链波动影响,缩短交货周期,保障客户生产计划;
技术支持及时:专业工程师团队提供从选型、测试到应用的全流程支持,遇到问题可快速响应;
成本可控:本土研发与生产降低了中间环节成本,相比 IRF1404 等进口型号,JSM200N04PG 在性价比上更具竞争力。
目前,JSM200N04PG 已完成全面测试,各项参数均通过严格验证(如安全工作区、结温特性、瞬态热阻抗等,详见产品手册),可批量供货。


如果你的项目正在使用 IRF1404,或需要一款 40V、高电流、低损耗的功率 MOSFET,不妨试试杰盛微 JSM200N04PG—— 零成本替换,性能看得见的提升!
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在功率电子技术不断升级的今天,选择更优的器件,就是选择更高效、更可靠的系统竞争力。杰盛微 JSM200N04PG,等你来体验!




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