随着新能源、工业自动化、储能等领域的快速发展，功率半导体作为 “电力电子系统的心脏”，其效率、耐温性和可靠性直接决定了终端产品的性能上限。传统硅基器件在高频、高压、高温场景下逐渐显现瓶颈，而碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表，凭借击穿场强高、热导率大、开关速度快等先天优势，成为突破技术瓶颈的关键。今天，杰盛微半导体（JSMSEMI）正式推出一款高性能碳化硅肖特基二极管 ——SC3D10065G-JSM，以 “零恢复电流、高阻断电压、宽温耐受” 三大核心亮点，为多领域应用提供高效、稳定的功率解决方案。

一、产品基础描述
     SC3D10065G-JSM 是杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的碳化硅肖特基二极管，采用TO-263 封装，核心特性包括零正反向恢复电流、650V 高阻断电压、高频工作能力及 **-55 至 175℃宽工作温度范围 **；关键电参数为：连续正向电流（Tc=25℃时 32A，Tc=150℃时 10A）、正向压降（Typ1.45V，Max1.8V），具备高浪涌电流能力与正向压降正温度系数，可避免并联时热失控；优势体现在高系统效率、无开关损耗及高可靠性，主要应用于电机驱动、太阳能、AC/DC 转换器、DC/DC 转换器、不间断电源（UPS） 等场景，且符合 RoHS 环保要求。

二、核心特性（Features）
零正反向恢复电流（Zero Forward/Reverse Recovery Current）
高阻断电压（High Blocking Voltage）
高频工作能力（High Frequency Operation）
正向压降（VF）正温度系数（Positive Temperature Coefficient on VF）
开关特性不受温度影响（Temperature Independent Switching Behavior）
高浪涌电流能力（High surge current capability）

电气特性（Electrical Characteristics）

注：该二极管为多子二极管（majority carrier diode），无反向恢复电荷（no reverse recovery charge）。

热特性（Thermal Characteristics）

三、最大额定值（Maximum Ratings，Tc=25℃除非特别说明）

四、核心特性：重新定义功率器件的性能边界
SC3D10065G-JSM 并非简单堆砌参数，而是从实际应用痛点出发，每一项特性都对应着对 “效率”“可靠性”“设计便捷性” 的深度优化，让技术优势真正转化为用户价值。
1. 零正反向恢复电流，彻底告别开关损耗
传统硅二极管在导通与关断的切换过程中，会因载流子存储效应产生 “恢复电流”，不仅导致额外的开关损耗，还会引发电压尖峰和电磁干扰（EMI），尤其在高频应用（如 100kHz 以上的 DC/DC 转换器）中，损耗占比可高达 30% 以上。而 SC3D10065G-JSM 作为碳化硅肖特基二极管，采用多子导电机制，从物理原理上消除了正反向恢复电流（文档明确标注：“这是多子二极管，无反向恢复电荷”），实现 “零开关损耗”。
这一特性带来的直接价值是什么？以光伏逆变器为例，开关损耗的降低可使整机转换效率提升 1%-3%，在一个 100MW 的光伏电站中，每年可多发电约 120 万度，相当于减少近 800 吨二氧化碳排放 —— 既符合 “双碳” 目标，又为业主创造额外收益。
2. 650V 高阻断电压 + 宽温工作，应对极端工况不怯场
功率器件的 “耐压能力” 和 “耐温能力”，直接决定了其在复杂环境中的适用范围。SC3D10065G-JSM 的峰值重复反向电压（VRRM）、直流阻断电压（VR/VDC）均稳定达到 650V，能轻松适配光伏逆变器（组串电压通常为 500V/600V）、工业 UPS（直流母线电压 400V）等高压场景，无需额外串联器件即可满足电压需求，简化电路设计。
更值得关注的是其宽温工作能力：器件的工作结温（TJ）范围覆盖 - 55℃至 175℃，存储温度同样保持一致。无论是北方冬季零下 40℃的户外储能站，还是工业电机控制柜内 120℃以上的高温环境，SC3D10065G-JSM 都能稳定运行。即使在壳温（Tc）达到 150℃的极端条件下，器件仍能提供 10A 的连续正向电流，相比同规格硅器件，高温下的电流保持率提升 40% 以上，彻底解决 “高温降额” 导致的功率不足问题。
3. 正向压降正温度系数，多器件并联更安心
在大功率应用（如 100kW 以上的储能变流器）中，单颗器件往往难以满足电流需求，“多器件并联” 成为常用方案。但传统器件的正向压降（VF）随温度升高而降低，容易导致 “电流集中”—— 某一颗器件因温度稍高，VF 下降，更多电流涌入，进一步升温，最终引发热失控，烧毁器件。
SC3D10065G-JSM 则通过 “正向压降正温度系数” 特性完美解决这一痛点：当器件温度升高时，VF 会随之轻微上升（如 IF=10A 时，25℃下 VF 典型值 1.45V，175℃下升至 1.7V），自动限制电流继续流入，实现 “自均流” 效果。工程师无需设计复杂的均流电阻或控制电路，即可便捷地实现多颗器件并联，既缩短设计周期，又提升系统可靠性。

五、硬核参数：用数据说话，彰显可靠实力
如果说特性是 “方向”，那么参数就是 “底气”。SC3D10065G-JSM 的每一项关键参数，都经过严格的测试验证，确保在实际应用中 “说到做到”。
1. 电流能力：兼顾持续运行与突发冲击
连续正向电流（IF）：在 25℃壳温下，IF 可达 32A，满足多数中大功率场景（如 20kW 电机驱动、30kW 光伏逆变器）的持续运行需求；即使壳温升至 135℃，IF 仍能保持 14A，高温下的功率输出稳定性领先行业。
浪涌电流耐受：系统启动或负载突变时，往往会产生瞬时大电流冲击。SC3D10065G-JSM 的非重复正向浪涌电流（IFSM）表现出色：25℃下，10μs 方波脉冲的浪涌电流可达 520A，10ms 半正弦脉冲可达 65A；即使在 110℃高温下，10ms 浪涌电流仍能达到 55A。这意味着，即使电机启动时出现 3 倍额定电流的冲击，器件也能安然无恙。
2. 低损耗 + 高稳定性，长期运行更省心
正向压降（VF）：IF=10A 时，25℃下 VF 典型值仅 1.45V（最大值 1.8V），远低于同规格硅二极管（通常 2.0V 以上），每颗器件的导通损耗降低 20% 以上；175℃高温下，VF 典型值 1.7V，变化幅度小，确保全温度范围内的损耗稳定。
反向漏电流（IR）：在 650V 反向电压下，25℃时 IR 最大仅 80μA，175℃时最大 190μA，漏电流远低于行业平均水平（通常 25℃下 100μA 以上）。这意味着在系统待机或断电时，静态损耗几乎可以忽略，尤其对需要长时间待机的 UPS、储能系统而言，能显著降低待机功耗。
高频特性：器件的总电容（C）随反向电压升高而降低，在 VR=400V、1MHz 频率下仅 31pF，高频下的容性损耗小。这一特性让 SC3D10065G-JSM 可轻松适配 200kHz 以上的高频电源设计，帮助工程师打造更小巧、更高效的功率模块（如服务器电源、快充电源）。

3. 热管理优秀，散热效率高
功率器件的寿命与温度密切相关，温度每降低 10℃，寿命可延长一倍。SC3D10065G-JSM 的结壳热阻（Rtn (j-c)）典型值仅 1.6℃/W，意味着每消耗 1W 功率，结温与壳温的温差仅 1.6℃，热量能快速从芯片传导至外壳。配合 TO-263 封装的大面积散热焊盘，即使在高功耗场景下，也能有效控制器件温度，避免因过热导致的性能衰减或寿命缩短。

六、多场景适配：从光伏到工业，赋能全产业链
SC3D10065G-JSM 并非 “单一场景专用器件”，而是凭借优异的综合性能，成为新能源、工业控制、电源领域的 “多面手”，为不同行业的技术升级提供核心支撑。
1. 电机驱动：高效节能，助力工业升级
在工业电机、伺服电机驱动系统中，逆变器的效率直接决定电机的能耗。SC3D10065G-JSM 的零开关损耗、高频工作能力，能将逆变器效率提升至 98% 以上（传统硅器件通常 96% 以下），以一台 15kW 的工业电机为例，每年可节约电能约 1200 度，为企业降低用电成本。同时，其宽温工作范围（-55℃至 175℃）和高浪涌电流能力，能适应电机启动时的瞬时大电流和工业现场的复杂温度环境（如冶金、化工车间），让电机运行更稳定、更可靠。
2. 太阳能系统：耐高温，保障发电效率
光伏逆变器长期工作在户外，面临高温、强辐射、昼夜温差大等恶劣条件，对器件的耐温性、可靠性要求极高。SC3D10065G-JSM 的 175℃宽温工作能力，能轻松应对夏日暴晒下的高温环境（逆变器内部温度常达 100℃以上）；650V 的高阻断电压适配光伏组串的高压输出（500V/600V 组串）；零开关损耗则提升逆变器转换效率，帮助光伏电站获取更多发电量。在一个 10MW 的光伏电站中，使用 SC3D10065G-JSM 可使年发电量增加约 30 万度，为业主创造可观的经济收益。
3. 电源转换与 UPS：可靠稳定，守护电力连续
AC/DC、DC/DC 转换器：在服务器电源、工业电源、新能源汽车车载电源中，SC3D10065G-JSM 的高频特性和低损耗，能提升电源转换效率，减少发热，让电源产品更小巧（如服务器电源体积缩小 15%）、更节能（转换效率提升 1%-2%）。
不间断电源（UPS）：UPS 作为关键设备的 “电力保镖”，需要在断电瞬间快速切换至备用电源。SC3D10065G-JSM 的零恢复电流特性，能实现 “无延迟开关”，确保切换过程中无电压波动；高浪涌电流能力则能应对负载突变时的电流冲击，为服务器、医疗设备（需确认适配型号）等关键负载提供持续、稳定的电力保障。

七、设计友好：封装兼容，订购便捷
杰盛微在设计 SC3D10065G-JSM 时，不仅关注 “性能”，更关注 “用户体验”，从封装到订购，每一个细节都为工程师和采购人员提供便利。
1. TO-263 封装：兼容现有设计，降低改造成本
SC3D10065G-JSM 采用行业通用的 TO-263 封装（又称 D2PAK），引脚标识为 PIN10、PIN20、OCASE，其关键尺寸经过精密设计：长度（A）4.30-4.72mm，宽度（E）9.80-10.45mm，引脚间距（e）2.54BSC，引脚长度（L）2.00-2.74mm。这一尺寸与市场上主流的 TO-263 封装器件完全兼容，工程师无需修改 PCB 布局，即可直接替换传统硅二极管或性能不佳的碳化硅器件，大大缩短设计周期，降低产品改造成本。
2. 订购便捷，环保合规
在订购方面，SC3D10065G-JSM 的订单号为 SC3D10065G-JSM，MSL 等级为 1 级（无需烘烤即可使用），采用卷带（T&R）包装，每卷 1000 个，适配自动化贴片生产线，提高生产效率。同时，产品符合 RoHS 环保要求，不含铅、汞等有害物质，满足全球主要市场的环保法规（如欧盟 RoHS、中国 RoHS），无需担心出口合规问题。

携手共进，开启 SiC 应用新未来
在双碳目标推动下，新能源、工业节能、储能等领域迎来爆发式增长，对高性能功率器件的需求日益迫切。杰盛微 SC3D10065G-JSM 碳化硅肖特基二极管，以 “高效、高温、高可靠” 的核心优势，为行业提供了优质的器件选择 —— 它不仅是一颗二极管，更是帮助企业降低能耗、提升产品竞争力、实现技术升级的 “核心利器”。
如果您正在寻找一款适配高频、高压、高温场景的碳化硅二极管，不妨关注杰盛微 SC3D10065G-JSM！现在联系我们，即可获取样品测试机会，与我们的技术团队深入交流，共同打造更具竞争力的产品方案。未来，杰盛微将继续深耕功率半导体领域，以技术创新为驱动，以客户需求为导向，推出更多优质产品，与合作伙伴携手，为全球能源转型和工业升级贡献 “杰盛微力量”！