杰盛微FD6288T三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
发布日期:2023-12-8 14:46:32


杰盛微FD6288T是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。杰盛微FD6288T逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。

杰盛微FD6288T的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。

杰盛微FD6288T为TSSOP20封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围:

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

FD6288T性能参数介绍:

•自举工作的浮地通道

•最高工作电压为+250V

•兼容3.3/5V输入逻辑

•dVs/dt耐受能力可达±50V/ns

•Vs 负偏压能力达-9V

•栅极驱动电压范围8V至20V

•高、低侧欠压锁定电路

-高侧欠压锁定正向阈值7.1V

-高侧欠压锁定负向阈值6.9V

-低侧欠压锁定正向阈值7V

-低侧欠压锁定负向阈值6.6V

•防直通死区逻辑

-死区时间设定200ns

•芯片传输延时特性

-开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/120ns

-延迟匹配时间小于50ns

•宽温度范围-40~125C

•输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A

•符合 RoSH标准

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