IRS2001S是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

  IRS2001S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。

  IRS2001S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。

  IRS2001S集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。IRS2001S采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

IRS2001S性能参数介绍：

•自举工作的浮地通道

•最高工作电压为+250V

•兼容 3.3V,5V和15V输入逻辑

•dVs/dt耐受能力可达±50V/ns

•Vs负偏压能力达-9V

•栅极驱动电压从10V到20V

•防直通死区逻辑

-死区时间设定100ns

CRO

•集成欠压锁定电路

一欠压锁定正向阈值8.9V

一欠压锁定负向阈值8.2V

•芯片传输延时特性

-开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/150ns

-延迟匹配时间小于60ns

•宽温度范围-40°C~125C

•输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA

•集成自举二极管

•符合 RoSH 标准

SOP-8 封装

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