IRS2001S是一款高压、高速功率MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
IRS2001S采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力。
IRS2001S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。
IRS2001S集成有自举二极管,对高侧进行充电,简化了芯片外围电路。IRS2001S采用SOP-8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
应用范围:
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
IRS2001S性能参数介绍:
•自举工作的浮地通道
•最高工作电压为+250V
•兼容 3.3V,5V和15V输入逻辑
•dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
•Vs负偏压能力达-9V
•栅极驱动电压从10V到20V
•防直通死区逻辑
-死区时间设定100ns
CRO
•集成欠压锁定电路
一欠压锁定正向阈值8.9V
一欠压锁定负向阈值8.2V
•芯片传输延时特性
-开通/关断传输延时Ton/Toff =150ns/150ns
-延迟匹配时间小于60ns
•宽温度范围-40°C~125C
•输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
•集成自举二极管
•符合 RoSH 标准
SOP-8 封装
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