JSM2000G是一款快速、高压侧N沟道MOSFET 栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。
该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET 开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。
其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。
JSM2000G 采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：高边开关控制器、静态开关驱动器、负载和电源开关驱动器、电子阀驱动器、高频高压侧栅极驱动器、光伏关断器

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性能参数介绍：
•宽工作VIN:最高250V
•针对快速导通和关闭通道，具有150ns传输延迟
•内置高压侧充电电路，可实现100%占空比
•可调导通占空比
•栅极驱动器电源电压为4.5V至20V
•VIN 过压闭锁
•驱动器电源VCC欠压闭锁
 -欠压锁定正向阈值4.2V
 -欠压锁定负向阈值4V
•兼容 3.3V,5V和15V输入逻辑
•TS 负压耐受能力达-9V
•宽温度范围-40°C~125C
•输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
•符合 RoSH 标准