喜报|杰盛微荣获2024年度硬核功率器件奖
发布日期:2024-10-15 10:00:00

2024年度硬核芯生态大会暨颁奖典礼


在激烈竞争评选中,杰盛微荣获大奖:2024年度“硬核功率器件奖”杰盛微有幸获得该奖项荣誉,感谢主办单位、业内同仁及客户们对我产品的认可和支持。


-深圳市杰盛微半导体有限公司-

深圳市杰盛微半导体有限公司是由专家海归博士团队创立的高科技公司,总部在西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园,专业生产星尔磁性传感器SOC芯片、模拟驱动IC、电源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等产品。
JSMSEMI杰盛微拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,研制开发了各类磁开关系列芯片,磁速度、方向传感器芯片,步性传感器芯片,以及磁编码器芯片、包括25V~700V栅极驱动IC芯片、3300V/5000V隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。为汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等市场领域的终端客户高可靠性功率模拟IC芯片。

杰盛微半导体是业内能提供最全面的产品与解决方案的企业之一,产品种类覆盖50多种封装形式和10000多种型号。公司拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,研制开发了各类磁开关系列芯片,磁速度、方向传感器芯片,线性传感器芯片和磁编码器芯片等产品。

杰盛微JSM2113S

产品概述:
JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达750V。
JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑,可用于故障条件下的通断关断。
JSM2113S采用宽体SOP-16-300mil封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

主要特征:
·自举工作的浮动通道
·最高工作电压可达750V
·兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
·dVS/dt耐受能力可达±50V/nsec
·VS负偏压能力达-9V
·栅极驱动电范围10V-20V
·宽温度范围-40~125°C
·集成欠压锁定功能
·周期性边缘触发关断逻辑
·输入输出同相位
·逻辑和电源地±5V偏移
·芯片开通关断延时特性
-- Ton/Toff=130ns/130ns
-- 高低侧延时匹配
·驱动电流能力:
--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
·高、低侧欠压锁定电路
-- 欠压锁定正向阈值8.9V
-- 欠压锁定负向阈值8.2V
·符合RoSH标准


应用场景:
·通用逆变器
·交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
·用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度
·开关电源
·太阳能逆变器、电机驱动器和UPS
应用案例:JSM2113S可以适用多种应用场景。覆盖通用逆变器,交流和直流电源中的半桥和全桥转换器;也可以用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度开关电源;太阳能逆变器、电机驱动器和UPS等。

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